IXFL36N110P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFL36N110P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS264

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IXFL36N110P datasheet

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IXFL36N110P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 30 A ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ISOPLUS264TM

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