IXFL36N110P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFL36N110P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFL36N110P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL36N110P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL36N110P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL36N110P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

Другие MOSFET... IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , TK10A60D , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 .

History: CEM4282 | VSF600N70HS | AP20T03GH | 2SK3526-01SJ | NP88N055DLE | FHD7N65B | STP20NM60FD

 

 
Back to Top

 


 
.