IXFL38N100Q2 Todos los transistores

 

IXFL38N100Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFL38N100Q2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS264

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFL38N100Q2

 

IXFL38N100Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL38N100Q2

IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V IXFL 34N100 VDSS = 1000 V HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs HiPerFETTM Power MOSFETs ID25 = 30 A ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ID25 = 30 A ISOPLUS264TM ISOPLUS264TM

Otros transistores... IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , 12N60 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 .

History: NTP18N06L | SI4412ADY | NTP125N02RG

 

 
Back to Top

 


 
.