Справочник MOSFET. IXFL38N100Q2

 

IXFL38N100Q2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL38N100Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL38N100Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL38N100Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf pdf_icon

IXFL38N100Q2

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

Другие MOSFET... IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P , IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , 4N60 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 .

History: STP11NM60FD | BRF2N70 | IXFC24N50 | IRF1018ESPBF | IRF840ALPBF | 2SJ407 | EV3407

 

 
Back to Top

 


 
.