IXFL40N110P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFL40N110P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS264
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros