IXFL40N110P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL40N110P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL40N110P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL40N110P даташит

No data!

Другие IGBT... IXFL100N50P, IXFL30N120P, IXFL32N120P, IXFL34N100, IXFL36N110P, IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IRF1010E, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, IXFL60N80P, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2, IXFL82N60P