IXFL60N80P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFL60N80P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS264

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IXFL60N80P datasheet

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IXFL60N80P

IXFL 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 40 A Power MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS264TM trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TM (IXFL) ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR T

Otros transistores... IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, NCEP15T14, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2, IXFL82N60P, IXFN100N10S1, IXFN100N10S2, IXFN100N10S3, IXFN100N20, IXFN100N50P