Справочник MOSFET. IXFL60N80P

 

IXFL60N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL60N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL60N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL60N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixfl60n80p.pdf pdf_icon

IXFL60N80P

IXFL 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS264TMtrr 250 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTM (IXFL)ISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR T

Другие MOSFET... IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IRFP450 , IXFL70N60Q2 , IXFL80N50Q2 , IXFL82N60P , IXFN100N10S1 , IXFN100N10S2 , IXFN100N10S3 , IXFN100N20 , IXFN100N50P .

History: ME2612 | RRL025P03

 

 
Back to Top

 


 
.