Справочник MOSFET. IXFL60N80P

 

IXFL60N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFL60N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL60N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixfl60n80p.pdf pdf_icon

IXFL60N80P

IXFL 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 40 APower MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS264TMtrr 250 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTM (IXFL)ISOPLUS264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR T

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BUK436W-200A | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | IPP126N10N3 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.