IXFL60N80P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFL60N80P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFL60N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL60N80P даташит

 ..1. Size:198K  ixys
 ixfl60n80p.pdf pdf_icon

IXFL60N80P

IXFL 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 40 A Power MOSFET RDS(on) 150 m ISOPLUS264TM trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TM (IXFL) ISOPLUS264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR T

Другие IGBT... IXFL38N100P, IXFL38N100Q2, IXFL39N90, IXFL40N110P, IXFL44N100P, IXFL44N60, IXFL44N80, IXFL60N60, NCEP15T14, IXFL70N60Q2, IXFL80N50Q2, IXFL82N60P, IXFN100N10S1, IXFN100N10S2, IXFN100N10S3, IXFN100N20, IXFN100N50P