IXFL80N50Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFL80N50Q2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXFL80N50Q2 MOSFET
IXFL80N50Q2 Datasheet (PDF)
ixfl82n60p.pdf

IXFL 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 78 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTM ISOPLUS264 (IXFL)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25
Otros transistores... IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 , 20N50 , IXFL82N60P , IXFN100N10S1 , IXFN100N10S2 , IXFN100N10S3 , IXFN100N20 , IXFN100N50P , IXFN100N50Q3 , IXFN102N30P .
History: BRFL10N65S | VBA2305 | APTC80A10SCTG | SSW65R033SFD3 | FQAF90N08 | APT10035JFLL | STP4NA90
History: BRFL10N65S | VBA2305 | APTC80A10SCTG | SSW65R033SFD3 | FQAF90N08 | APT10035JFLL | STP4NA90



Liste
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