IXFL80N50Q2 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFL80N50Q2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFL80N50Q2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264
 

 Аналог (замена) для IXFL80N50Q2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL80N50Q2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:205K  ixys
 ixfl82n60p.pdf pdf_icon

IXFL80N50Q2

IXFL 82N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 82 APower MOSFET RDS(on) 78 m ISOPLUS264TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTM ISOPLUS264 (IXFL)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25

Другие MOSFET... IXFL39N90 , IXFL40N110P , IXFL44N100P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 , 18N50 , IXFL82N60P , IXFN100N10S1 , IXFN100N10S2 , IXFN100N10S3 , IXFN100N20 , IXFN100N50P , IXFN100N50Q3 , IXFN102N30P .

History: IXFN100N10S3

 

 
Back to Top

 


 
.