3N209 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N209  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: TO72

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 3N209 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3N209 datasheet

 ..1. Size:399K  1
3n209.pdf pdf_icon

3N209

 ..2. Size:3040K  1
3n210 3n209.pdf pdf_icon

3N209

3N209-3N210 DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER High-reliability discrete products and engineering services since 1977 FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix. MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Dra

Otros transistores... 3N200, 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, IRLB4132, 3N210, 3N211, 3N212, 3N213, 3N242, 3N323, 3N324, 3N325