3N209 Todos los transistores

 

3N209 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N209

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 25 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.1 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO72

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3N209 Datasheet (PDF)

0.1. 3n210 3n209.pdf Size:3040K _1

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3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra

0.2. 3n209.pdf Size:399K _1

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