Справочник MOSFET. 3N209

 

3N209 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N209

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Выходная емкость (Cd): 2 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm

Тип корпуса: TO72

Аналог (замена) для 3N209

 

 

3N209 Datasheet (PDF)

0.1. 3n210 3n209.pdf Size:3040K _1

3N209
3N209

3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra

0.2. 3n209.pdf Size:399K _1

3N209
3N209

 

Другие MOSFET... 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , J111 , 3N210 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 .

 

 
Back to Top