3N209 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N209
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Выходная емкость (Cd): 2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
3N209 Datasheet (PDF)
0.1. 3n210 3n209.pdf 
Size:3040K _1
3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra
0.2. 3n209.pdf Size:399K _1
Другие MOSFET... 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , J111 , 3N210 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 .
