3N209 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N209
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 3N209
3N209 Datasheet (PDF)
3n210 3n209.pdf

3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra
Другие MOSFET... 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , IRF9540N , 3N210 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 .
History: S85N048S
History: S85N048S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet