Справочник MOSFET. 3N209

 

3N209 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N209
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N209

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N209 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  1
 3n209.pdf pdf_icon

3N209

 ..2. Size:3040K  1
 3n210 3n209.pdf pdf_icon

3N209

3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra

Другие MOSFET... 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , IRF9540N , 3N210 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 .

History: FDB13AN06A0

 

 
Back to Top

 


 
.