3N210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 25 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 0.1 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm
Empaquetado / Estuche: MACROH
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3N210
3N210 Datasheet (PDF)
0.1. 3n210 3n209.pdf 
Size:3040K _1
3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra
Otros transistores... 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 , 2SK2996 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A .
