3N210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Paquete / Cubierta: MACROH
- Selección de transistores por parámetros
3N210 Datasheet (PDF)
3n210 3n209.pdf

3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra
Otros transistores... 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 , RFP50N06 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A .
History: PSMN3R8-30LL | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | IPB15N03L | BLF7G24LS-100 | CS10J60A4-G
History: PSMN3R8-30LL | IRF7316QPBF | WSC5N20A | SI3585DV-T1 | IPB15N03L | BLF7G24LS-100 | CS10J60A4-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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