Справочник MOSFET. 3N210

 

3N210 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 3N210

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 2 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm

Тип корпуса: MACROH

Аналог (замена) для 3N210

 

 

3N210 Datasheet (PDF)

0.1. 3n210 3n209.pdf Size:3040K _1

3N210
3N210

3N209-3N210DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIERHigh-reliability discrete productsand engineering services since 1977FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix.MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDra

Другие MOSFET... 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , 3N206 , 3N209 , 2SK2996 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 , 3N325 , 3N325A .

 

 
Back to Top