3N210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N210  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: MACROH

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N210

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N210 даташит

 ..1. Size:3040K  1
 3n210 3n209.pdf pdf_icon

3N210

3N209-3N210 DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER High-reliability discrete products and engineering services since 1977 FEATURES Available as HR (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add HR suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding -PBF suffix. MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Dra

Другие IGBT... 3N201, 3N202, 3N203, 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N209, P55NF06, 3N211, 3N212, 3N213, 3N242, 3N323, 3N324, 3N325, 3N325A