3N210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 3N210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: MACROH

 Аналог (замена) для 3N210