IXFP4N100PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP4N100PM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IXFP4N100PM MOSFET
IXFP4N100PM Datasheet (PDF)
ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG
Otros transistores... IXFP16N50P , IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , 20N50 , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P .



Liste
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