IXFP4N100PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP4N100PM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 57 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 26 nC
Tiempo de elevación (tr): 300 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3.3 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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IXFP4N100PM Datasheet (PDF)
4.1. ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf 
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Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 2.2Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, RG
Otros transistores... IXFP16N50P , IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IRFZ24N , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P .
