Справочник MOSFET. IXFP4N100PM

 

IXFP4N100PM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFP4N100PM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXFP4N100PM

 

 

IXFP4N100PM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf

IXFP4N100PM IXFP4N100PM

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top