Справочник MOSFET. IXFP4N100PM

 

IXFP4N100PM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP4N100PM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXFP4N100PM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP4N100PM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFP4N100PM

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BRD5N20 | IXFK27N80

 

 
Back to Top

 


 
.