IXFP4N100PM - описание и поиск аналогов

 

IXFP4N100PM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFP4N100PM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXFP4N100PM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP4N100PM даташит

 8.1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFP4N100PM

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RG

Другие MOSFET... IXFP16N50P , IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , STP80NF70 , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.