IXFP4N100QM Todos los transistores

 

IXFP4N100QM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP4N100QM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 43.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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IXFP4N100QM Datasheet (PDF)

4.1. ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf Size:163K _ixys

IXFP4N100QM
IXFP4N100QM

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 2.2Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, RG

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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