IXFP4N100QM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFP4N100QM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO220
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IXFP4N100QM datasheet
ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf
Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFY4N60P3 Power MOSFETs ID25 = 4A IXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RG
Otros transistores... IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IXFP4N100Q , TK10A60D , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , IXFP8N50PM .
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