IXFP4N100QM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXFP4N100QM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам