IXFP5N100P Todos los transistores

 

IXFP5N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP5N100P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6 V

Carga de compuerta (Qg): 33.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFP5N100P

 

IXFP5N100P Datasheet (PDF)

1.1. ixfp5n100pm.pdf Size:115K _ixys

IXFP5N100P
IXFP5N100P

Advance Technical Information VDSS = 1000V PolarTM HiPerFETTM IXFP5N100PM ID25 = 2.3A Power MOSFET ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 2.8Ω ≤ Ω ≤ Ω (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode OVERMOLDED Avalanche Rated (IXFP...M) OUTLINE Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 1000 V G VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 1000 V Isolated Tab

4.1. ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf Size:164K _ixys

IXFP5N100P
IXFP5N100P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 1.65Ω ≤ Ω ≤ Ω IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25°C to 150°C, R

 

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