IXFP6N120P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP6N120P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.75 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXFP6N120P datasheet

 9.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFP6N120P

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA60N25X3 Power MOSFET ID25 = 60A IXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Co

Otros transistores... IXFP3N50PM, IXFP3N80, IXFP4N100P, IXFP4N100PM, IXFP4N100Q, IXFP4N100QM, IXFP5N100P, IXFP5N50PM, 4N60, IXFP76N15T2, IXFP7N100P, IXFP7N80P, IXFP7N80PM, IXFP8N50PM, IXFQ10N80P, IXFQ12N80P, IXFQ14N80P