IXFP6N120P - описание и поиск аналогов

 

IXFP6N120P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFP6N120P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.75 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXFP6N120P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP6N120P даташит

 9.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFP6N120P

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250V IXFA60N25X3 Power MOSFET ID25 = 60A IXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) Fast Intrinsic Diode G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V (IXFP) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 250 V VGSS Co

Другие MOSFET... IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , 4N60 , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.