Справочник MOSFET. IXFP6N120P

 

IXFP6N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP6N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXFP6N120P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP6N120P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:288K  ixys
 ixfa60n25x3 ixfp60n25x3 ixfq60n25x3.pdf pdf_icon

IXFP6N120P

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 250VIXFA60N25X3Power MOSFET ID25 = 60AIXFP60N25X3 RDS(on) 23m IXFQ60N25X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 250 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 250 VVGSS Co

Другие MOSFET... IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IXFP4N100Q , IXFP4N100QM , IXFP5N100P , IXFP5N50PM , 10N65 , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P .

History: IXTU05N100

 

 
Back to Top

 


 
.