2N6770JANTXV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6770JANTXV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO204

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 2N6770JANTXV MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N6770JANTXV datasheet

 8.1. Size:137K  1
 2n6770.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

 8.2. Size:144K  international rectifier
 2n6770 irf450.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

PD - 90330F REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6770 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF450 500V 0.400 12A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest S

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N6768JAN, 2N6768JANTX, 2N6768JANTXV, 2N6768JTX, 2N6768JTXV, 2N6769, 2N6770, 2N6770JANTX, IRF830, 2N6770JTX, 2N6770JTXV, 2N6781, 2N6781LCC4, 2N6781-SM, 2N6782, 2N6782JANTX, 2N6782JANTXV