2N6770JANTXV - описание и поиск аналогов

 

2N6770JANTXV - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N6770JANTXV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO204

 Аналог (замена) для 2N6770JANTXV

 

2N6770JANTXV технические параметры

 8.1. Size:137K  1
 2n6770.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

 8.2. Size:144K  international rectifier
 2n6770 irf450.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

PD - 90330F REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6770 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF450 500V 0.400 12A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest S

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6770JANTXV

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 , 2N6770 , 2N6770JANTX , IRF830 , 2N6770JTX , 2N6770JTXV , 2N6781 , 2N6781LCC4 , 2N6781-SM , 2N6782 , 2N6782JANTX , 2N6782JANTXV .

 

 
Back to Top

 


 
.