IXFX200N10P Todos los transistores

 

IXFX200N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX200N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 235 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXFX200N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 ixfk200n10p ixfx200n10p.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

VDSS = 100 VIXFK 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 AIXFX 200N10PPower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20

 9.1. Size:122K  ixys
 ixfk260n17t ixfx260n17t.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 170VIXFK260N17TID25 = 260APower MOSFETIXFX260N17T RDS(on) 6.5m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 170 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =

 9.2. Size:251K  ixys
 ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

www.DataSheet4U.comVDSS IDSS RDS(on) trrHiPerFETTM Power MOSFETsIXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 nsIXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID2

 9.3. Size:124K  ixys
 ixfk24n100q3 ixfx24n100q3.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFK24N100Q3Power MOSFETs ID25 = 24AIXFX24N100Q3 Q3-Class RDS(on) 440m trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1000 V DSVDGR TJ = 25C to 150

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History: SM4804DSK | NCE85H25 | STF18N65M2 | IRF3704ZL | BLS6G2731S-130 | HGA115N15S | IPB80N04S3-H4

 

 
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