Справочник MOSFET. IXFX200N10P

 

IXFX200N10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX200N10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 235 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX200N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 ixfk200n10p ixfx200n10p.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

VDSS = 100 VIXFK 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 AIXFX 200N10PPower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20

 9.1. Size:122K  ixys
 ixfk260n17t ixfx260n17t.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 170VIXFK260N17TID25 = 260APower MOSFETIXFX260N17T RDS(on) 6.5m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 170 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =

 9.2. Size:251K  ixys
 ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

www.DataSheet4U.comVDSS IDSS RDS(on) trrHiPerFETTM Power MOSFETsIXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 nsIXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID2

 9.3. Size:124K  ixys
 ixfk24n100q3 ixfx24n100q3.pdf pdf_icon

IXFX200N10P

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1000VIXFK24N100Q3Power MOSFETs ID25 = 24AIXFX24N100Q3 Q3-Class RDS(on) 440m trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1000 V DSVDGR TJ = 25C to 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RD02MUS2 | MTB4D0N03ATH8 | NTLGF3402PT1G

 

 
Back to Top

 


 
.