IXFX73N30Q Todos los transistores

 

IXFX73N30Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX73N30Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFX73N30Q

 

Principales características: IXFX73N30Q

 9.1. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFX73N30Q

Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK74N50P2 Power MOSFET ID25 = 74A IXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.2. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFX73N30Q

Preliminary Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK78N50P3 Power MOSFETs ID25 = 78A IXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C

Otros transistores... IXFX60N55Q2 , IXFX62N25 , IXFX64N50P , IXFX64N50Q3 , IXFX64N60P , IXFX64N60P3 , IXFX64N60Q3 , IXFX66N50Q2 , EMB04N03H , IXFX74N50P2 , IXFX78N50P3 , IXFX80N50P , IXFX80N50Q3 , IXFX80N60P3 , IXFX88N20Q , IXFX94N50P2 , IXFX98N50P3 .

History: AP4438CGM | PTP04N04N | INK0112AC1 | SSM3310GH

 

 
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