Справочник MOSFET. IXFX73N30Q

 

IXFX73N30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX73N30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 481 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX73N30Q Datasheet (PDF)

 9.1. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFX73N30Q

Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK74N50P2Power MOSFET ID25 = 74AIXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFX73N30Q

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK78N50P3Power MOSFETs ID25 = 78AIXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TabVDGR TJ = 25C

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMM13N65EM | CEU01N7 | 2SK3572-Z | STL11N4LLF5 | PSMN4R2-60PL | FMW60N190S2HF

 

 
Back to Top

 


 
.