IXKC25N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXKC25N80C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 550 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXKC25N80C

IXKC25N80C Datasheet (PDF)

9.1. Size:172K ixys
ixkc20n60c.pdf

IXKC 20N60CVDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 15 ARDS(on) max = 190 mElectrically isolated back surface2500 V electrical isolationN-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated tabSE72873FeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate

9.2. Size:262K ixys
ixkc23n60c5.pdf

IXKC 23N60C5ID25 = 23 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated backS surfaceE72873Preliminary dataFeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

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Liste

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