IXKC25N80C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKC25N80C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXKC25N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKC25N80C даташит

 9.1. Size:172K  ixys
 ixkc20n60c.pdf pdf_icon

IXKC25N80C

IXKC 20N60C VDSS = 600 V CoolMOS 1) Power MOSFET ID25 = 15 A RDS(on) max = 190 m Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode D ISOPLUS220TM Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge G G D S isolated tab S E72873 Features MOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratings substrate

 9.2. Size:262K  ixys
 ixkc23n60c5.pdf pdf_icon

IXKC25N80C

IXKC 23N60C5 ID25 = 23 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode D ISOPLUS220TM Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge G G D S isolated back S surface E72873 Preliminary data Features MOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

Другие IGBT... IXFX98N50P3, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, IXKC19N60C5, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, 50N06, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IXKH70N60C5