Справочник MOSFET. IXKC25N80C

 

IXKC25N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKC25N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 550 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKC25N80C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:172K  ixys
 ixkc20n60c.pdf pdf_icon

IXKC25N80C

IXKC 20N60CVDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 15 ARDS(on) max = 190 mElectrically isolated back surface2500 V electrical isolationN-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated tabSE72873FeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate

 9.2. Size:262K  ixys
 ixkc23n60c5.pdf pdf_icon

IXKC25N80C

IXKC 23N60C5ID25 = 23 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated backS surfaceE72873Preliminary dataFeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TSM9N50CI | BF964S | SE30150B | BSC032N03SG | SDF4N60 | 2SJ167 | SSP65R075SFD2

 

 
Back to Top

 


 
.