IXKF40N60SCD1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXKF40N60SCD1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 250 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4PAC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1 Datasheet (PDF)

..1. Size:415K ixys
ixkf40n60scd1.pdf

IXKF 40N60SCD1VDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 41 Awith Series Schottky Diode and RDS(on) typ. = 60 mUltra Fast Antiparallel Diodetrr = 70 nsin High Voltage ISOPLUS i4-PAC5 ISOPLUS i4-PACDSDFPreliminary data12T15 E728732FeaturesMOSFET T fast CoolMOS 1) power MOSFET 3rd Symbol Conditions Maximum Ratingsgeneration - high bl

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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