IXKF40N60SCD1 Todos los transistores

 

IXKF40N60SCD1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKF40N60SCD1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4PAC
 

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IXKF40N60SCD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  ixys
 ixkf40n60scd1.pdf pdf_icon

IXKF40N60SCD1

IXKF 40N60SCD1VDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 41 Awith Series Schottky Diode and RDS(on) typ. = 60 mUltra Fast Antiparallel Diodetrr = 70 nsin High Voltage ISOPLUS i4-PAC5 ISOPLUS i4-PACDSDFPreliminary data12T15 E728732FeaturesMOSFET T fast CoolMOS 1) power MOSFET 3rd Symbol Conditions Maximum Ratingsgeneration - high bl

Otros transistores... IXFZ520N075T2 , IXKC13N80C , IXKC15N60C5 , IXKC19N60C5 , IXKC20N60C , IXKC23N60C5 , IXKC25N80C , IXKC40N60C , IRF640 , IXKH20N60C5 , IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C .

History: STN4189D

 

 
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