Справочник MOSFET. IXKF40N60SCD1

 

IXKF40N60SCD1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKF40N60SCD1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4PAC
 

 Аналог (замена) для IXKF40N60SCD1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKF40N60SCD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  ixys
 ixkf40n60scd1.pdf pdf_icon

IXKF40N60SCD1

IXKF 40N60SCD1VDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 41 Awith Series Schottky Diode and RDS(on) typ. = 60 mUltra Fast Antiparallel Diodetrr = 70 nsin High Voltage ISOPLUS i4-PAC5 ISOPLUS i4-PACDSDFPreliminary data12T15 E728732FeaturesMOSFET T fast CoolMOS 1) power MOSFET 3rd Symbol Conditions Maximum Ratingsgeneration - high bl

Другие MOSFET... IXFZ520N075T2 , IXKC13N80C , IXKC15N60C5 , IXKC19N60C5 , IXKC20N60C , IXKC23N60C5 , IXKC25N80C , IXKC40N60C , IRFZ44 , IXKH20N60C5 , IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C .

 

 
Back to Top

 


 
.