Справочник MOSFET. IXKF40N60SCD1

 

IXKF40N60SCD1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKF40N60SCD1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4PAC
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKF40N60SCD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  ixys
 ixkf40n60scd1.pdf pdf_icon

IXKF40N60SCD1

IXKF 40N60SCD1VDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 41 Awith Series Schottky Diode and RDS(on) typ. = 60 mUltra Fast Antiparallel Diodetrr = 70 nsin High Voltage ISOPLUS i4-PAC5 ISOPLUS i4-PACDSDFPreliminary data12T15 E728732FeaturesMOSFET T fast CoolMOS 1) power MOSFET 3rd Symbol Conditions Maximum Ratingsgeneration - high bl

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRLU120PBF | SQJ460AEP | IRFP4368PBF | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.