IXKF40N60SCD1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKF40N60SCD1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4PAC

Аналог (замена) для IXKF40N60SCD1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKF40N60SCD1 даташит

 ..1. Size:415K  ixys
 ixkf40n60scd1.pdf pdf_icon

IXKF40N60SCD1

IXKF 40N60SCD1 VDSS = 600 V CoolMOS 1) Power MOSFET ID25 = 41 A with Series Schottky Diode and RDS(on) typ. = 60 m Ultra Fast Antiparallel Diode trr = 70 ns in High Voltage ISOPLUS i4-PAC 5 ISOPLUS i4-PAC DS DF Preliminary data 1 2 T 1 5 E72873 2 Features MOSFET T fast CoolMOS 1) power MOSFET 3rd Symbol Conditions Maximum Ratings generation - high bl

Другие IGBT... IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, IXKC19N60C5, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, IXKC25N80C, IXKC40N60C, IRFZ44, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IXKH70N60C5, IXKK85N60C, IXKN40N60C