IXKH70N60C5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXKH70N60C5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXKH70N60C5 datasheet

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IXKH70N60C5

IXKH 70N60C5 ID25 = 70 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge D TO-247 AD (IXKH) G G D D(TAB) S S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Otros transistores... IXKC25N80C, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IRFP260N, IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M