IXKH70N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXKH70N60C5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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IXKH70N60C5 Datasheet (PDF)

..1. Size:106K ixys
ixkh70n60c5.pdf

IXKH 70N60C5ID25 = 70 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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