IXKH70N60C5 Todos los transistores

 

IXKH70N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKH70N60C5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXKH70N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  ixys
 ixkh70n60c5.pdf pdf_icon

IXKH70N60C5

IXKH 70N60C5ID25 = 70 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Otros transistores... IXKC25N80C , IXKC40N60C , IXKF40N60SCD1 , IXKH20N60C5 , IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , 10N60 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M .

History: DMP3056LSD | IRF1010EZS | SWD065R68E7T | GSM4946W

 

 
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