Справочник MOSFET. IXKH70N60C5

 

IXKH70N60C5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKH70N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXKH70N60C5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKH70N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  ixys
 ixkh70n60c5.pdf pdf_icon

IXKH70N60C5

IXKH 70N60C5ID25 = 70 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Другие MOSFET... IXKC25N80C , IXKC40N60C , IXKF40N60SCD1 , IXKH20N60C5 , IXKH24N60C5 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , 10N60 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M .

History: SIHP22N65E | 4N60L-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.