Справочник MOSFET. IXKH70N60C5

 

IXKH70N60C5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKH70N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 600 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKH70N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  ixys
 ixkh70n60c5.pdf pdf_icon

IXKH70N60C5

IXKH 70N60C5ID25 = 70 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BSC014N06NS | STE15N100 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FS30KMJ-06F | VN0104N9 | MPSP60M370

 

 
Back to Top

 


 
.