IXKH70N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKH70N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXKH70N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKH70N60C5 даташит

 ..1. Size:106K  ixys
 ixkh70n60c5.pdf pdf_icon

IXKH70N60C5

IXKH 70N60C5 ID25 = 70 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.045 N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge D TO-247 AD (IXKH) G G D D(TAB) S S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capability VGS 20 V - Low

Другие IGBT... IXKC25N80C, IXKC40N60C, IXKF40N60SCD1, IXKH20N60C5, IXKH24N60C5, IXKH30N60C5, IXKH35N60C5, IXKH47N60C, IRFP260N, IXKK85N60C, IXKN40N60C, IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M