IXKP13N60C5M Todos los transistores

 

IXKP13N60C5M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKP13N60C5M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXKP13N60C5M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXKP13N60C5M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ixys
 ixkp13n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP13N60C5M

IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

Otros transistores... IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IRFB4115 , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , IXKP24N60C5 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.