Справочник MOSFET. IXKP13N60C5M

 

IXKP13N60C5M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKP13N60C5M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP13N60C5M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ixys
 ixkp13n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP13N60C5M

IXKP 13N60C5MID25 = 6.5 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.3 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK3133 | APT1201R4SFLL | AP9566GH | ZXMS6005DG | IRF3707SPBF | NCE8601B | P0465CS

 

 
Back to Top

 


 
.