IXKP24N60C5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXKP24N60C5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: TO220

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IXKP24N60C5 datasheet

 9.1. Size:101K  ixys
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IXKP24N60C5

IXKP 20N60C5M ID25 = 7.6 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.2 Fully isolated package N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D TO-220 FP Ultra low gate charge G D G S Preliminary data S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capabi

 9.2. Size:272K  inchange semiconductor
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IXKP24N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switched mode power supplies Uninterruptible power suppli

Otros transistores... IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IRFP250N, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P, IXTA06N120P, IXTA08N100D2