IXKP24N60C5 Todos los transistores

 

IXKP24N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKP24N60C5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXKP24N60C5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXKP24N60C5 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:101K  ixys
 ixkp20n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP24N60C5

IXKP 20N60C5MID25 = 7.6 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.2 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

 9.2. Size:272K  inchange semiconductor
 ixkp20n60c5.pdf pdf_icon

IXKP24N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 180m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitched mode power suppliesUninterruptible power suppli

Otros transistores... IXKN45N80C , IXKN75N60C , IXKP10N60C5 , IXKP10N60C5M , IXKP13N60C5 , IXKP13N60C5M , IXKP20N60C5 , IXKP20N60C5M , AON7408 , IXKP24N60C5M , IXKR25N80C , IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 , IXTA05N100P , IXTA06N120P , IXTA08N100D2 .

History: ZXMN10A08E6TC | SI3499DV

 

 
Back to Top

 


 
.