IXKP24N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKP24N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXKP24N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP24N60C5 даташит

 9.1. Size:101K  ixys
 ixkp20n60c5m.pdf pdf_icon

IXKP24N60C5

IXKP 20N60C5M ID25 = 7.6 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.2 Fully isolated package N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET D TO-220 FP Ultra low gate charge G D G S Preliminary data S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation VDSS TVJ = 25 C 600 V - High blocking capabi

 9.2. Size:272K  inchange semiconductor
 ixkp20n60c5.pdf pdf_icon

IXKP24N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 180m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switched mode power supplies Uninterruptible power suppli

Другие IGBT... IXKN45N80C, IXKN75N60C, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M, IXKP13N60C5, IXKP13N60C5M, IXKP20N60C5, IXKP20N60C5M, IRFP250N, IXKP24N60C5M, IXKR25N80C, IXKR40N60C, IXKR47N60C5, IXTA05N100, IXTA05N100P, IXTA06N120P, IXTA08N100D2