IXTA18P10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTA18P10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IXTA18P10T MOSFET
IXTA18P10T Datasheet (PDF)
ixta182n055t7.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA182N055T7TrenchMVTMID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25
ixta180n085t7.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25
ixta180n10t7.pdf

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25
ixta182n055t ixtp182n055t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTA182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T
Otros transistores... IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IXTA180N10T7 , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , IRF830 , IXTA1N100P , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P , IXTA1R4N100P , IXTA1R4N120P , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N50D2 .
History: BSS138LT1G | IXFP102N15T | IXKH20N60C5
History: BSS138LT1G | IXFP102N15T | IXKH20N60C5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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