IXTA18P10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA18P10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA18P10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA18P10T даташит

 8.1. Size:203K  ixys
 ixta182n055t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical Information VDSS = 55 V IXTA182N055T7 TrenchMVTM ID25 = 182 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 8.2. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical Information VDSS = 85 V IXTA180N085T7 TrenchMVTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 8.3. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

PreliminaryTechnical Information VDSS = 100 V IXTA180N10T7 TrenchMVTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGSM Transient 30 V 1 ID25 TC = 25

 8.4. Size:221K  ixys
 ixta182n055t ixtp182n055t.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical Information IXTA182N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP182N055T ID25 = 182 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA16N50P, IXTA170N075T2, IXTA180N085T, IXTA180N085T7, IXTA180N10T, IXTA180N10T7, IXTA182N055T, IXTA182N055T7, 2N60, IXTA1N100P, IXTA1N120P, IXTA1N80, IXTA1N80P, IXTA1R4N100P, IXTA1R4N120P, IXTA1R6N100D2, IXTA1R6N50D2