IXTA18P10T - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTA18P10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTA18P10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA18P10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA18P10T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  ixys
 ixta182n055t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA182N055T7TrenchMVTMID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.2. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.3. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25

 8.4. Size:221K  ixys
 ixta182n055t ixtp182n055t.pdf pdf_icon

IXTA18P10T

Preliminary Technical InformationIXTA182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IXTA180N10T7 , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , 7N60 , IXTA1N100P , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P , IXTA1R4N100P , IXTA1R4N120P , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N50D2 .

History: FQB5N40TM | IPP12CN10NG | BUK9Y2R8-40H | MPSP65M260 | NCEP018N60D | IXTA1N80

 

 
Back to Top

 


 
.