IXTA98N075T7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTA98N075T7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V
Corriente continua de drenaje (Id): 98 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 80 nC
Tiempo de elevación (tr): 100 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTA98N075T7
IXTA98N075T7 Datasheet (PDF)
5.1. ixta90n055t ixtp90n055t.pdf 
Size:215K _ixys
Preliminary Technical Information IXTA90N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP90N055T ID25 = 90 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 8.8 m ? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M? 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC = 25 C90 A ILRMS Lead Current
Otros transistores... IXTA88N085T7 , IXTA8N50P , IXTA90N055T , IXTA90N055T2 , IXTA90N075T2 , IXTA90N15T , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IRF5210 , IXTB30N100L , IXTB62N50L , IXTC110N055T , IXTC110N25T , IXTC13N50 , IXTC160N10T , IXTC180N085T , IXTC180N10T .
