IXTA98N075T7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA98N075T7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IXTA98N075T7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA98N075T7 даташит

 9.1. Size:215K  ixys
 ixta90n055t ixtp90n055t.pdf pdf_icon

IXTA98N075T7

Preliminary Technical Information IXTA90N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTP90N055T ID25 = 90 A Power MOSFET RDS(on) 8.8 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 TC =

Другие IGBT... IXTA88N085T7, IXTA8N50P, IXTA90N055T, IXTA90N055T2, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, 5N60, IXTB30N100L, IXTB62N50L, IXTC110N055T, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T