IXTB62N50L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTB62N50L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: PLUS264

 Búsqueda de reemplazo de IXTB62N50L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTB62N50L datasheet

 ..1. Size:109K  ixys
 ixtb62n50l.pdf pdf_icon

IXTB62N50L

Preliminary Technical Information IXTB62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 264TM (IXTB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V ID25 TC = 25 C 62

Otros transistores... IXTA90N055T, IXTA90N055T2, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, IXTB30N100L, SI2302, IXTC110N055T, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T, IXTC200N085T