IXTB62N50L Todos los transistores

 

IXTB62N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTB62N50L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 800 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
 

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IXTB62N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  ixys
 ixtb62n50l.pdf pdf_icon

IXTB62N50L

Preliminary Technical InformationIXTB62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS 264TM (IXTB)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transient 40 VID25 TC = 25C 62

Otros transistores... IXTA90N055T , IXTA90N055T2 , IXTA90N075T2 , IXTA90N15T , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , SI2302 , IXTC110N055T , IXTC110N25T , IXTC13N50 , IXTC160N10T , IXTC180N085T , IXTC180N10T , IXTC200N075T , IXTC200N085T .

History: IXTC13N50 | IRFP3703PBF | FQPF12P20XDTU | UTT25P06 | IRFP360PBF | AOLF66610 | MSF4N65

 

 
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