Справочник MOSFET. IXTB62N50L

 

IXTB62N50L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTB62N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
 

 Аналог (замена) для IXTB62N50L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTB62N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  ixys
 ixtb62n50l.pdf pdf_icon

IXTB62N50L

Preliminary Technical InformationIXTB62N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETID25 = 62 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS 264TM (IXTB)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transient 40 VID25 TC = 25C 62

Другие MOSFET... IXTA90N055T , IXTA90N055T2 , IXTA90N075T2 , IXTA90N15T , IXTA96P085T , IXTA98N075T , IXTA98N075T7 , IXTB30N100L , IRFZ46N , IXTC110N055T , IXTC110N25T , IXTC13N50 , IXTC160N10T , IXTC180N085T , IXTC180N10T , IXTC200N075T , IXTC200N085T .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.