IXTB62N50L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTB62N50L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXTB62N50L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTB62N50L даташит

 ..1. Size:109K  ixys
 ixtb62n50l.pdf pdf_icon

IXTB62N50L

Preliminary Technical Information IXTB62N50L VDSS = 500 V Linear Power MOSFET ID25 = 62 A With Extended FBSOA RDS(on) 0.1 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 264TM (IXTB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V ID25 TC = 25 C 62

Другие IGBT... IXTA90N055T, IXTA90N055T2, IXTA90N075T2, IXTA90N15T, IXTA96P085T, IXTA98N075T, IXTA98N075T7, IXTB30N100L, SI2302, IXTC110N055T, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T, IXTC200N085T