IXTC200N10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTC200N10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 101 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXTC200N10T datasheet

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IXTC200N10T

IXTC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC) E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transi

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