Справочник MOSFET. IXTC200N10T

 

IXTC200N10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTC200N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 152 nC
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220

 Аналог (замена) для IXTC200N10T

 

 

IXTC200N10T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf

IXTC200N10T IXTC200N10T

IXTC 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC)E153432VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transi

 9.2. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf

IXTC200N10T IXTC200N10T

Preliminary Technical InformationIXTC280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 145 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.3. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf

IXTC200N10T IXTC200N10T

Preliminary Technical InformationIXTC220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 4.4 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.4. Size:186K  ixys
 ixtc220n075t.pdf

IXTC200N10T IXTC200N10T

Preliminary Technical InformationIXTC220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMID25 = 115 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient

 9.5. Size:187K  ixys
 ixtc240n055t.pdf

IXTC200N10T IXTC200N10T

Preliminary Technical InformationIXTC240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 132 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS240 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top