IXTC200N10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTC200N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXTC200N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC200N10T даташит

 9.1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf pdf_icon

IXTC200N10T

IXTC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC) E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transi

 9.2. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf pdf_icon

IXTC200N10T

 9.3. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf pdf_icon

IXTC200N10T

 9.4. Size:186K  ixys
 ixtc220n075t.pdf pdf_icon

IXTC200N10T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTC110N055T, IXTC110N25T, IXTC13N50, IXTC160N10T, IXTC180N085T, IXTC180N10T, IXTC200N075T, IXTC200N085T, 8N60, IXTC220N055T, IXTC220N075T, IXTC230N085T, IXTC240N055T, IXTC250N075T, IXTC26N50P, IXTC280N055T, IXTC36P15P