IXTC230N085T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTC230N085T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
Búsqueda de reemplazo de IXTC230N085T MOSFET
IXTC230N085T PDF Specs
ixtc26n50p.pdf
IXTC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC) E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transi... See More ⇒
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History: P06P03LVG | P1003BK | DHS020N04P
History: P06P03LVG | P1003BK | DHS020N04P
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