Справочник MOSFET. IXTC230N085T

 

IXTC230N085T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTC230N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 187 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTC230N085T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC230N085T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf pdf_icon

IXTC230N085T

IXTC 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC)E153432VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transi

 9.2. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf pdf_icon

IXTC230N085T

Preliminary Technical InformationIXTC280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 145 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.3. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf pdf_icon

IXTC230N085T

Preliminary Technical InformationIXTC220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 4.4 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.4. Size:186K  ixys
 ixtc220n075t.pdf pdf_icon

IXTC230N085T

Preliminary Technical InformationIXTC220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMID25 = 115 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STW8N80 | FDP8896

 

 
Back to Top

 


 
.