IXTD110N25T-8W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTD110N25T-8W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: DIE

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IXTD110N25T-8W datasheet

 ..1. Size:130K  ixys
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IXTD110N25T-8W

Preliminary Technical Information IXTD110N25T-8W VDSS = 250V Trench Gate Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Die Outline Notes 1. Die Thickness 200 25 m 2. Die Size Tolerance 50 m 3. Top Bonding Pad Metal 30 K nominally thick Al 4. Back Metal 3 layers of Ti, Ni & Au; 2500 nominally thick Au 5. G = Gate, S = Source D = Drain (back side) 6. Recommend wi

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