IXTD110N25T-8W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTD110N25T-8W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: DIE
Búsqueda de reemplazo de IXTD110N25T-8W MOSFET
IXTD110N25T-8W Datasheet (PDF)
ixtd110n25t-8w.pdf

Preliminary Technical InformationIXTD110N25T-8WVDSS = 250VTrench GatePower MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeDie Outline Notes:1. Die Thickness: 200 25 m2. Die Size Tolerance: 50 m3. Top Bonding Pad Metal:30 K nominally thick Al4. Back Metal: 3 layers of Ti, Ni & Au;2500 nominally thick Au5. G = Gate, S = SourceD = Drain (back side)6. Recommend wi
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History: SVGP066R1NL5 | SIA426DJ | CEM3301 | FSL913AOR | IPD60R400CE | HY3906W | 2N6765
History: SVGP066R1NL5 | SIA426DJ | CEM3301 | FSL913AOR | IPD60R400CE | HY3906W | 2N6765



Liste
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