IXTD110N25T-8W Todos los transistores

 

IXTD110N25T-8W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTD110N25T-8W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIE
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTD110N25T-8W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  ixys
 ixtd110n25t-8w.pdf pdf_icon

IXTD110N25T-8W

Preliminary Technical InformationIXTD110N25T-8WVDSS = 250VTrench GatePower MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeDie Outline Notes:1. Die Thickness: 200 25 m2. Die Size Tolerance: 50 m3. Top Bonding Pad Metal:30 K nominally thick Al4. Back Metal: 3 layers of Ti, Ni & Au;2500 nominally thick Au5. G = Gate, S = SourceD = Drain (back side)6. Recommend wi

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History: SIHFRC20 | GSM2341 | RRL025P03 | ME75N03-G | IRFP044NPBF | BSS123A | IRLZ44ZL

 

 
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