IXTD110N25T-8W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTD110N25T-8W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: DIE
Аналог (замена) для IXTD110N25T-8W
IXTD110N25T-8W Datasheet (PDF)
ixtd110n25t-8w.pdf

Preliminary Technical InformationIXTD110N25T-8WVDSS = 250VTrench GatePower MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeDie Outline Notes:1. Die Thickness: 200 25 m2. Die Size Tolerance: 50 m3. Top Bonding Pad Metal:30 K nominally thick Al4. Back Metal: 3 layers of Ti, Ni & Au;2500 nominally thick Au5. G = Gate, S = SourceD = Drain (back side)6. Recommend wi
Другие MOSFET... IXTC240N055T , IXTC250N075T , IXTC26N50P , IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , MMD60R360PRH , IXTE250N10 , IXTF03N400 , IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T .
History: RQ5E035AT | QM2401C1 | BLP042N10G-P | IPD60R400CE | SIA426DJ | HRLU125N06K | 2N6765
History: RQ5E035AT | QM2401C1 | BLP042N10G-P | IPD60R400CE | SIA426DJ | HRLU125N06K | 2N6765



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a