Справочник MOSFET. IXTD110N25T-8W

 

IXTD110N25T-8W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTD110N25T-8W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DIE
 

 Аналог (замена) для IXTD110N25T-8W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTD110N25T-8W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  ixys
 ixtd110n25t-8w.pdf pdf_icon

IXTD110N25T-8W

Preliminary Technical InformationIXTD110N25T-8WVDSS = 250VTrench GatePower MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeDie Outline Notes:1. Die Thickness: 200 25 m2. Die Size Tolerance: 50 m3. Top Bonding Pad Metal:30 K nominally thick Al4. Back Metal: 3 layers of Ti, Ni & Au;2500 nominally thick Au5. G = Gate, S = SourceD = Drain (back side)6. Recommend wi

Другие MOSFET... IXTC240N055T , IXTC250N075T , IXTC26N50P , IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , AON7403 , IXTE250N10 , IXTF03N400 , IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T .

History: FDR8308P

 

 
Back to Top

 


 
.