IXTD110N25T-8W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTD110N25T-8W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DIE

Аналог (замена) для IXTD110N25T-8W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTD110N25T-8W даташит

 ..1. Size:130K  ixys
 ixtd110n25t-8w.pdf pdf_icon

IXTD110N25T-8W

Preliminary Technical Information IXTD110N25T-8W VDSS = 250V Trench Gate Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Die Outline Notes 1. Die Thickness 200 25 m 2. Die Size Tolerance 50 m 3. Top Bonding Pad Metal 30 K nominally thick Al 4. Back Metal 3 layers of Ti, Ni & Au; 2500 nominally thick Au 5. G = Gate, S = Source D = Drain (back side) 6. Recommend wi

Другие IGBT... IXTC240N055T, IXTC250N075T, IXTC26N50P, IXTC280N055T, IXTC36P15P, IXTC62N15P, IXTC75N10, IXTC96N25T, IRF9640, IXTE250N10, IXTF03N400, IXTF1N250, IXTF1N400, IXTF200N10T, IXTF230N085T, IXTF250N075T, IXTF280N055T