Справочник MOSFET. IXTD110N25T-8W

 

IXTD110N25T-8W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTD110N25T-8W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DIE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTD110N25T-8W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  ixys
 ixtd110n25t-8w.pdf pdf_icon

IXTD110N25T-8W

Preliminary Technical InformationIXTD110N25T-8WVDSS = 250VTrench GatePower MOSFET DieN-Channel Enhancement ModeDie Outline Notes:1. Die Thickness: 200 25 m2. Die Size Tolerance: 50 m3. Top Bonding Pad Metal:30 K nominally thick Al4. Back Metal: 3 layers of Ti, Ni & Au;2500 nominally thick Au5. G = Gate, S = SourceD = Drain (back side)6. Recommend wi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AM4410N | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | SML1004R2GXN | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.