IXTE250N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTE250N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 730 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 390 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS227
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros